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元件参数资料
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参数目录39871
> FDG313N MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
型号:
FDG313N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDG313N PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
Mold Compound Change 07/May/2008
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
950mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 10V
功率 - 最大
480mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6
包装
标准包装
其它名称
FDG313NFSDKR
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